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November 2013
FDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 50 A, 1 3 m Ω
Features
? R DS(on) = 11.5 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 50 A
? Q G (tot) = 2 2 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Consumer Appliances
? LED TV
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
Formerly developmental type 82 555
D
D
G
S
D-PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter r
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 80 o C, V GS = 10V)
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 52 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy ( Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDD13AN06A 0
60
± 20
50
9.9
Figure 4
56
115
0.77
-55 to 175
U nit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
C/W
C/W
R θ JC
R θ
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max. D-PAK
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. D-PAK
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. D-PAK ,
1in 2
copper pad area
1 .3
1 00
52
o C/W
o
o
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD13AN06A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
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